【双端口 RAM】
双端口 RAM 是指同一个存储器有左、右两个独立的端口，分别具有两组相互独立的地址线、数据线和读写控制线，允许两个独立的控制器同时异步地访问存储单元
当两个端口的地址不相同时，在两个端口上进行读写操作一定不会发生冲突，当两个端口同时存取存储器的同一地址单元时，就会因数据冲突造成数据存储或读取错误
两个端口对同一主存操作有以下四种情况：
- 两个端口不同时对同一地址单元存取数据
- 两个端口同时对同一地址单元读出数据
- 两个端口同时对同一地址单元写入数据
- 两个端口同时对同一地址单元，一个写入数据，另一个读出数据
其中，第 $1$ 种和第 $2$ 种情况不会出现错误，第 $3$ 种情况会出现写入错误，第 $4$ 种情况会出现读出错误
解决方法：置忙信号 $\overline{BUSY}$ 为 $0$，由判断逻辑决定暂时关闭一个端口（即被延时），未被关闭的端口正常访问，被关闭的端口延长一个很短的时间段后再访问
【多模块存储器】
为提高访存速度，常采用多模块存储器，常用的有单体多字存储器和多体低位交叉存储器
单体多字存储器
单体多字系统的特点是存储器中只有一个存储体，每个存储单元存储 $m$ 个字，总线宽度也为 $m$ 个字，一次并行读出 $m$ 个字，地址必须顺序排列并处于同一存储单元
单体多字系统在一个存取周期内，从同一地址取出 $m$ 条指令，然后逐条将指令送至 CPU 执行，即每隔 $\frac{1}{m}$ 存取周期，CPU 向主存取一条指令，这样显然增大了存储器的带宽，提高了单体存储器的工作速度
但由于指令和数据在主存内必须是连续存放的，一旦遇到转移指令，或者操作数不能连续存放，这种方法的效果就不明显
多体并行存储器
多体并行存储器由多体模块组成，每个模块都有相同的容量和存取速度，各模块都有独立的读写控制电路、地址寄存器和数据寄存器，它们既能并行工作，又能交叉工作。
多体并行存储器分为高位交叉编址（顺序方式）和低位交叉编址（交叉方式）两种
高位交叉编址：高位地址表示体号，低位地址为体内地址
低位交叉编址：低位地址表示体号，高位地址为体内地址，由于程序连续存放在相邻体中，因此常称采用此编址方式的存储器为交叉存储器
多体模块结构的存储器采用低位交叉编址后，可以在不改变每个模块存取周期的前提下，采用流水线的方式并行存取，提高存储器的带宽
设模块字长等于数据总线宽度，模块存取一个字的存取周期为 $T$，总线传送周期为 $r$，为实现流水线方式存取，则存储器交叉模块数应大于等于：
式中，$m$ 称为交叉存取度，每经 $r$ 时间延迟后启动下一个模块，交叉存储器要求其模块数必须大于或等于 $m$，以保证启动某模块后经过 $m\times r$ 的时间后再次启动该模块时，其上次存取操作已经完成（即流水线不间断）
这样连续存取 $m$ 个字所需的时间为：
而顺序方式连续读取 $m$ 个字所需时间为：
可见低位交叉存储器的带宽大大提高了
下面给出一个模块数为 $4$ 的流水线方式存取的实例
设存储器容量为 $32$ 个字，字长为 $64$ 位，模块数 $m=4$，分别采用顺序方式和交叉方式进行组织，存储周期 $T＝200ns$，数据总线宽度为 $64$ 位，总线传输周期 $r＝50ns$，在连续读出 $4$ 个字的情况下，求顺序存储器和交叉存储器各自的带宽
顺序存储器和交叉存储器连续读出 $m＝4$ 个字的信息总量均是：
顺序存储器和交叉存储器连续读出 $4$ 个字所需的时间分别是：
顺序存储器和交叉存储器的带宽分别是：
